Graphen auf Siliziumcarbid: elektronische Eigenschaften und Ladungstransport

Graphen auf Siliziumcarbid: elektronische Eigenschaften und Ladungstransport

In dieser Arbeit werden die lokalen elektronischen Eigenschaften sowie der Ladungstransport bis auf atomare Längenskalen von epitaktischem Graphen auf der SiC(0001)-Oberfläche charakterisiert. Dazu wird neben den etablierten Rastersondenverfahren erstmals bei 6 K und unter UHV-Bedingungen die Method...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Druga, Thomas
Other Authors: Ulbrich, Rainer G. Prof. Dr.
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: 2014
Subjects:
530
Physik (PPN621336750)
Graphen
Rastertunnelpotentiometrie (STP)
Rastertunnelmikroskopie (STM)
Thermospannung
Monolayer-Bilayer Übergang
Ladungstransport
Raster-Kelvin-Mikroskopie (KPFM)
graphene
scanning tunneling potentiometry (STP)
scanning tunneling microscopy (STM)
thermovoltage
monolayer-bilayer junction
charge transport
Kelvin probe force microscopy (KPFM)
Online Access:http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0022-5EDC-1
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:7-11858/00-1735-0000-0022-5EDC-1-8

Internet

http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0022-5EDC-1
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:7-11858/00-1735-0000-0022-5EDC-1-8

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