Ανάπτυξη υμενίων Αl2O3 σε υποστρώματα p-Ge με τη μέθοδο ALD : μελέτη διεπιφανειακών ιδιοτήτων συναρτήσει του πάχους και της θερμοκρασίας
Θέμα της παρούσας ερευνητικής εργασίας είναι η μελέτη διατάξεων MOS σε υπόστρωμα Ge τύπου –p. Ως διηλεκτρικό πύλης χρησιμοποιήθηκε Al2O3 και ως μέταλλο πύλης Pt. Τέτοιες διατάξεις οι οποίες αποτελούνται από υπόστρωμα Ge στο οποίο εναποτίθεται διηλεκτρικό υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς (high-k dielect...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | gr |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10889/5098 |