Διατάξεις παγίδευσης φορτίου (Memories) με τη χρήση νέων υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς
Στη παρούσα Διατριβή διερευνήθηκε η χρήση υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς (high-k) ως οξειδίων ελέγχου σε διατάξεις παγίδευσης φορτίου τύπου MONOS (Μetal-Οxide-Νitride-Οxide-Silicon). Τα οξείδια που εξετάστηκαν ήταν το HfO2, τo ZrO2 και το Al2O3. Η ανάπτυξή τους πραγματοποιήθηκε με χρήση της μεθ...
Main Author: | |
---|---|
Other Authors: | |
Language: | gr |
Published: |
2015
|
Subjects: | |
Online Access: | http://hdl.handle.net/10889/8504 |