Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince
Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a été insérée entre le canal et l'oxyde, afin d’éloigner les défauts de...
| Main Author: | |
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| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2017
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| Online Access: | http://hdl.handle.net/11143/11118 |