Croissance épitaxiale de GaAs sur substrats de Ge par épitaxie par faisceaux chimiques

La situation énergétique et les enjeux environnementaux auxquels la société est confrontée entraînent un intérêt grandissant pour la production d'électricité à partir de l'énergie solaire. Parmi les technologies actuellement disponibles, la filière du photovoltaïque à concentrateur solaire...

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Bibliographic Details
Main Author: Bélanger, Simon
Other Authors: Arès, Richard
Language:French
Published: Université de Sherbrooke 2010
Subjects:
Ge
CBE
Online Access:http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1561