Protection des ions organiques contre les dommages induits à l'ADN par les électrons de basse énergie
Il a été démontré que les électrons de basse énergie (EBE) peuvent induire des cassures simple brin (CSB) à l'ADN, via la formation d'anions transitoires qui décroissent par attachement dissociatif, ou dans d'autres états électroniques dissociatifs menant à la fragmentation. Afin d�...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4025 |