Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique

Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique

Résumé: Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et fiabilité des oxydes de grille. Le transistor à un électron (SET) fait partie...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: El Hajjam, Khalil
Other Authors: Drouin, Dominique
Language:French
Published: Université de Sherbrooke 2016
Subjects:
Dépôt par couche atomique
Couches minces diélectriques high-k
Couches minces diélectriques low-k
Oxydation
Transistor à un électron
Composés de titane
Ingénierie de la jonction tunnel
Intégration BEOL
Atomic layer deposition
High-k dielectric thin films
Low-k dielectric thin films
Oxidation
Double gate single electron transistors
Ttitanium compounds
Tunnel junction engineering
BEOL integration
Online Access:http://hdl.handle.net/11143/8508

Internet

http://hdl.handle.net/11143/8508

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