Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Devido às dimensões cada vez mais reduzidas dos transistores e a utilização de novos materiais com baixa condutividade térmica, o desempenho de transistores avançados é afetado pelo autoaquecimento. Dispositivos sob os efeitos de autoaquecimento sofrem um aumento da sua temperatura, fazendo com que...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/ |