Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

Este trabalho tem como objetivo o estudo, caracterização elétrica e modelagem do novo transistor desenvolvido e fabricado no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) chamado BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Trata-se de um dispositivo inovador que se destaca principa...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Yojo, Leonardo Shimizu
Other Authors: Martino, João Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2018
Subjects:
BE SOI MOSFET
Microeletrônica
Reconfigurable transistors
SOI technology
Transistores
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

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