Crescimento e caracterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica
Existe um grande interesse nos nitretos de Ga e In, assim como as suas ligas, por seu potencial na fabricação de dispositivos optoeletrônicos que operam na região do espectro eletromagnético de amarelo-verde até perto da região UV. Destes materiais, a estrutura cúbica (zíncblende) apresenta a vantag...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2004
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06032014-140734/ |