Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realiza...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão de
Other Authors: Martino, João Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2007
Subjects:
Auto-aquecimento
Engineering
GC-SOI MOSFET
Self-heating
SOI MOSFET
Tecnologia SOI
Transistores
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/

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