Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses

Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses

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Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram ma...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Camargo, Fábio de
Other Authors: Tobias, Carmen Cecília Bueno
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2009
Subjects:
Diodos de silício
Dosimetria de altas doses
Dosimetria gama
Gamma dosimetry
High dose dosimetry
Silicon diodes
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/

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