Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silício nestas amostras. As propriedades ópticas e elétricas d...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1993
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/ |