Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de InAs1-xPx sobre GaAs.
O crescimento de pontos quânticos a partir do descasamento dos parâmetros de rede tem sido alvo de intensos estudos nos últimos dez anos. Conhecer as propriedades eletrônicas destes materiais é chave para a engenharia de sistemas quânticos. O objetivo deste trabalho é estudar as propriedades eletrôn...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2003
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/ |