Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

O objetivo principal deste trabalho é o estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados operando como célula de memória de apenas um transistor aproveitando-se do efeito de corpo flutuante (1T-FBRAM single Transistor Floating Body Random Access Memory). A caracterização elétrica dos dispositivo...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Nicoletti, Talitha
Other Authors: Martino, João Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2013
Subjects:
Channel length scaling
Escalamento do comprimento de cana
Extensionless transistor
Floating- Body RAM cell
Memória de Efeito de Corpo Flutuante
Memória RAM
RAM memory
Retention time
SOI
Tempo de retenção
Transitor não auto-alinhado
UTBOX
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/

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