Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).

Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).

Esse trabalho tem como objetivo estudar o comportamento de transistores de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (UTBB SOI nMOSFET) e transistores de nanofios horizontais com porta ômega ? (?G NW SOI MOSFET) com ênfase na variação da tensão aplicada no substrato (VGB). As análises foram fei...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Itocazu, Vitor Tatsuo
Other Authors: Martino, João Antonio
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2018
Subjects:
Analog Parameters
Ground Plane
Nanofio
Nanowire
Parâmetros analógicos
Plano de Terra
Silício
SOI
Tensão de limiar
Threshold voltage
Transistores
UTBB
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

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