Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBE
Neste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técn...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1997
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/ |