Crescimento Epitaxial por Feixe Molecular de Camadas para Aplicação em Dispositivos
Neste trabalho, estudamos o crescimento de camadas semicondutoras de compostos III-V pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Um grande esforço foi inicialmente realizado para entender o funcionamento do sistema inteiro e otimizar o uso de cada instrumento disponível para a caracterização...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
1998
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18012017-101504/ |