Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência série de fonte e dreno devido ao estreitamento dessas regiões, sendo esse parâmetro con...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/ |