Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons
Neste trabalho são apresentados os resultados da caracterização dosimétrica de dois diodos especiais de silício, resistentes a danos de radiação, crescidos pelo método epitaxial com vistas a sua aplicação na monitoração em tempo real de feixes de fótons de qualidades de radiodiagnóstico convencional...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/ |