Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas.
Nesse trabalho de mestrado estudou-se o comportamento elétrico de transistores verticais de múltiplas portas (3D) sobre isolante (SOI FinFET) sob o efeito da radiação de prótons em baixa temperatura, por meio de métodos experimentais e simulações numéricas. Inicialmente, foram comparados os comporta...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2017
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/ |