Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Devido às dimensões cada vez mais reduzidas dos transistores e a utilização de novos materiais com baixa condutividade térmica, o desempenho de transistores avançados é afetado pelo autoaquecimento. Dispositivos sob os efeitos de autoaquecimento sofrem um aumento da sua temperatura, fazendo com...
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Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade de São Paulo
2018
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Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/ |