Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.

Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.

Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBB FD SOI MOSFET (Ultra-Thin-Bodyand-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar, operando em modo convencional, de tensão de limiar dinâmica (DT2-UTBB, onde a tensão de...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Katia Regina Akemi Sasaki
Other Authors: João Antonio Martino
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2016
Subjects:
DTMOS
Microeletrônica
MOS
SOI
Transistores
UTBB
Microelectronic
Transistors
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

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