Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Este trabalho apresenta um estudo que inclui a comparação experimental entre transistores de porta tripla (FinFETs) fabricados sobre lâminas de Silício-Sobre Isolante (SOI) e os fabricados diretamente sobre a lâmina de silício (de corpo). A caracterização elétrica dos FinFETs foi realizada para...
Main Author: | Alberto Vinicius de Oliveira |
---|---|
Other Authors: | João Antonio Martino |
Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade de São Paulo
2016
|
Subjects: | |
Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/ |
Similar Items
-
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
by: Oliveira, Alberto Vinicius de
Published: (2016) -
Efeitos da radiação de prótons em FinFET\'s de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).
by: Marcelo Bertoldo
Published: (2016) -
Efeitos da radiação de prótons em FinFET\'s de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).
by: Bertoldo, Marcelo
Published: (2016) -
Variabilidade em FinFETs
by: Meinhardt, Cristina
Published: (2015) -
Variabilidade em FinFETs
by: Meinhardt, Cristina
Published: (2015)