Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI.
Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX FD SOI MOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo N, em sua aplicação como uma célula de memória 1T-DRAM, dando ênfase no estudo das pol...
| Main Author: | |
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2013
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/ |